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STD1NA60T4 PDF预览

STD1NA60T4

更新时间： 2024-02-09 14:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 370K
描述
1.6A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3

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STD1NA60T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：13 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A最大漏极电流 (ID)：1.6 A
最大漏源导通电阻：8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD1NA60T4 数据手册

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STD1NA60  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 8 Ω  
ID  
STD1NA60  
600 V  
1.6 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 7.2 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
CHARACTERIZATION  
1
1
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX "T4")  
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
INDUSTRIAL ACTUATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
PARTICULARLY SUITABLE FOR  
ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP  
BALLASTS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
600  
V
± 30  
1.6  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
1
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
6.4  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
40  
W
Derating Factor  
0.32  
-65 to 150  
150  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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