5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.8 A | 最大漏源导通电阻： | 15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD1LNK60Z-1_06 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
|
| STD1NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STD1NA60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1.6A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, TO-251, IPAK-3 |
|
| STD1NA60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1.6A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3 |
|
| STD1NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 7.5ohm - 1.4A IPAK PowerMESH MOSFET |
|
| STD1NB50-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET D-PAK |
|
| STD1NB60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 7.4ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET |
|
| STD1NB60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 600V, 8.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
|
| STD1NB60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 600V, 8.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| STD1NB80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
