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STD19NE06T4 PDF预览

STD19NE06T4

更新时间： 2024-02-21 01:53:40
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 94K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA

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STD19NE06T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1.45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD19NE06T4 数据手册

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STD19NE06  
- 19A IPAK/DPAK  
N-CHANNEL 60V - 0.042  
Ω
STripFET POWER MOSFET  
V
R
DS(on)  
I
D
TYPE  
DSS  
STD19NE06  
60 V  
<0.050 Ω  
19 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.042 Ω  
DS  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
3
o
175 C OPERATING TEMPERATURE  
2
1
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4”)  
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
■
TO-251  
(Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique ”Single Feature Size ” strip-  
based process. The resulting transistor shows extremely  
high packing density for low on-resistance, rugged  
avalanche characteristics and less critical alignment  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
steps  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
60  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
19  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
13.5  
76  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
70  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.46  
1.45  
W/°C  
mJ  
(1)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
o
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Starting T = 25 C, I = 30A, V = 30 V  
j
D
DD  
March 2002  
1/9  
.
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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