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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD19NE06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
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| STD1HNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerM |
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| STD1HNC60-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET |
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| STD1HNK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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1.9A, 600V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| STD1LNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK Power |
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| STD1LNC60-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET |
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| STD1LNK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STD1LNK60Z-1 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STD1LNK60Z-1_06 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
|
| STD1NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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