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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
9页 | 299K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.81 | 雪崩能效等级(Eas): | 1.45 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 19 A |
最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD19NE06-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA | |
STD19NE06L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.038 ohm - 19A - TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET | |
STD19NE06L1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA | |
STD19NE06L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA | |
STD19NE06LT4 | STMICROELECTRONICS |
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19A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | |
STD19NE06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA | |
STD1HNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerM | |
STD1HNC60-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET | |
STD1HNK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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1.9A, 600V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | |
STD1LNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK Power |