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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 1021K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V, 0.198 Ω typ., 15 A MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK and DPAK packages | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 1.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 650 V, 0.198 Ω typ., 15 A MDmeshâ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD18NF03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.038Ω - 17A - DPAK STripFET™ |
|
| STD18NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250 V, 0.14 Ω, 17 A low gate charg |
|
| STD-1926P | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 50W |
|
| STD-1932 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 36W / 48W/ 60W |
|
| STD-1934P | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 65W |
|
| STD1937 | STANSON |
获取价格 |
SOT-23-5L |
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| STD1938 | STANSON |
获取价格 |
SOT-23-6L |
|
| STD-1947 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 90W |
|
| STD1955NL | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STD19NE06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET |
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