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STD13N65M2

更新时间： 2024-09-18 14:57:43

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
17页	785K
描述
N沟道650 V、0.37 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装

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STD13N65M2 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.59	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

STD13N65M2 数据手册

STD13N65M2

Datasheet

N-channel 650 V, 370 mΩ typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET

in a DPAK package

Features

TAB

DS(on)

max.

Order code

STD13N65M2

650 V

430 mΩ

10 A

•

Extremely low gate charge

DPAK

Excellent output capacitance (C_oss) profile

100% avalanche tested

D(2, TAB)

Zener-protected

Applications

G(1)

•

Switching applications

Description

S(3)

AM01476v1_tab

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2

technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device

exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it

suitable for the most demanding high efficiency converters.

Product status link

STD13N65M2

Product summary

Order code

STD13N65M2

Marking

Package

Packing

13N65M2

DPAK

Tape and reel

DS10792 - Rev 2 - October 2023

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

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