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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 15页 | 807K |  |
| 描述 | ||
| N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
|
| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD13N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package |
|
| STD13N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.37 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，D |
|
| STD13NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh⢠|
|
| STD13NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.32 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK |
|
| STD13NM60N-H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA |
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| STD1408PI | KODENSHI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| STD140N6F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFE |
|
| STD14NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.28 Ω typ., 12 A MDmesh⢠|
|
| STD14NM50NAG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道500 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFE |
|
| STD14NM50NTRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 500V, 0.32ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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