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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 509K |  |
| 描述 | ||
| N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 2.28 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 117 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD12N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package |
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| STD12N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，DP |
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| STD12N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK |
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| STD12N65M5TRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8.5A, 650V, 0.43ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD12NE06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.08ohm - 12A - IPAK/DPAK SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STD12NE06-1 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, TO-251, IPAK-3 |
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| STD12NE06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET |
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| STD12NE06L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA |
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| STD12NE06LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA |
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| STD12NE06T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3 |
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