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STD123

更新时间： 2024-11-02 04:01:59

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
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4页	269K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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STD123 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

STD123

FEATURES

Low saturation medium current application

Extremely low collector saturation voltage

Suitable for low voltage large current drivers

High DC current gain and large current capability

Low on resistance : RON=0.6Ω(Max.) (IB=1mA）

Lead-free

APPLICATIONS

SOT-23

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Audio frequency general purpose amplifier.

ORDERING INFORMATION

Type No.

STD123

Marking

123

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

6.5

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

P_C

350

℃

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

Document number: BL/SSSTC088

Rev.A

www.galaxycn.com

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