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STD1224N

更新时间： 2024-11-01 21:54:51

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三合微科 - SAMHOP		晶体晶体管
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8页	936K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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STD1224N 数据手册

S TU/D1224N

S amHop Microelectronics C orp.

Dec 20,2004

N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Trans is tor

PR ODUCT S UMMAR Y

FE ATUR E S

S uper high dense cell design for low R DS (ON).

R ugged and reliable.

VDS S

R DS (ON) ( m Ω) Max

80 @ VG S = 4.5V

130 @ VG S = 2.5V

24V

12A

TO-252 and TO-251 P ackage.

S TU S E R IE S

TO-252AA(D-P AK)

S TD S E R IE S

TO-251(l-P AK)

AB S OL UTE MAXIMUM R ATING S

(T =25 C unles s otherwis e noted)

Limit

Unit

P arameter

S ymbol

Drain-S ource Voltage

G S

G ate-S ource Voltage

Drain C urrent-C ontinuous ^a@ T

-P ulsed ^b

=25 C

Drain-S ource Diode Forward C urrent ^a

Maximum P ower Dissipation ^a

Operating J unction and S torage

Temperature R ange

, TS TG

-55 to 150

THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S

Thermal R esistance, J unction-to-C ase

C/W

J C

J A

Thermal R esistance, J unction-to-Ambient

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