是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 22 weeks |
风险等级: | 2.28 | 雪崩能效等级(Eas): | 394 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET | |
STD86N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET | |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD120N4LF6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 3.1 mΩ, 80 A DPAK, D²PAK ST | |
STD120S | LITTELFUSE |
获取价格 |
This axial leaded strap product is designed to provide reliable, non-cycling protection fo | |
STD1224N | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
STD-1225 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER-30W | |
STD123 | AUK |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor | |
STD123 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor | |
STD123 | KODENSHI |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor | |
STD-1233P | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 40W | |
STD123AS | AUK |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor | |
STD123AS | KODENSHI |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor |