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STD120N4F6

更新时间: 2024-11-27 12:25:27
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
18页 998K
描述
N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

STD120N4F6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:22 weeks
风险等级:2.28雪崩能效等级(Eas):394 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD120N4F6 数据手册

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STB120N4F6  
STD120N4F6  
N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK  
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
Order codes  
VDSS  
ID  
max.  
4 mΩ  
4 mΩ  
80 A (1)  
80 A (1)  
STB120N4F6  
STD120N4F6  
40 V  
40 V  
3
3
1. Current limited by package  
1
1
DPAK  
Standard threshold drive  
100% avalanche tested  
D²PAK  
Application  
Switching applications  
Automotive  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
These devices are 40 V N-channel STripFET™ VI  
Power MOSFET based on the ST’s proprietary  
STripFET™ technology, with a new gate structure.  
The resulting Power MOSFET exhibits the lowest  
'ꢄꢁꢆ  
R
in all packages.  
DS(on)  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB120N4F6  
STD120N4F6  
PAK  
DPAK  
120N4F6  
Tape and reel  
May 2011  
Doc ID 17042 Rev 5  
1/18  
www.st.com  
18  
 

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