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STC6NF30V

更新时间： 2024-09-19 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 294K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 6A TSSOP8 2.5V-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STC6NF30V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：LOW THRESHOLD配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STC6NF30V 数据手册

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STC6NF30V  
N-CHANNEL 30V - 0.020 Ω - 6A TSSOP8  
2.5V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
< 0.025 Ω ( @ 4.5 V )  
< 0.030 Ω ( @ 2.5 V )  
STC6NF30V  
30 V  
6 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.020 Ω @ 4.5 V  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.025 Ω @ 2.5 V  
DS  
ULTRA LOW THRESHOLD  
GATE DRIVE (2.5 V)  
■
■
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
DOUBLE DICE IN COMMON DRAIN  
CONFIGURATION  
TSSOP8  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR DRIVE  
DC-DC CONVERTERS  
BATTERY SAFETY UNIT FOR NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
POWER MANAGEMENT IN  
PORTABLE/DESKTOP PCs  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 12  
6
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
3.8  
24  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
1.5  
W
tot  
C
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
February 2003  
1/8  
12345678

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STC6NF30V 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FTD2017M SANYO

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