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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB80NF55-06
STB80NF55-06 PDF预览

STB80NF55-06

更新时间： 2024-01-07 02:09:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
N - CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET POWER MOSFET

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STB80NF55-06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263, D2PAK-3
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB80NF55-06 数据手册

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STB80NF55-06  
N - CHANNEL 55V - 0.005  
Ω
- 80A TO-262/TO-263  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB80NF55-06  
55 V  
< 0.0065 Ω  
80 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
■
■
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER  
PACKAGEIN TUBE (SUFFIX ”-1”)\  
SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)  
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)  
3
3
2
1
1
I2PAK  
TO-262  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”-1”)  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
55  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
55  
20  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
80  
A
ID  
57  
320  
A
I
DM(• )  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
210  
W
Derating Factor  
1.43  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
7
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 80 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/7  
October 1999  
1234567

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STB80NF55-06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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