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STB70NFS03LT4

更新时间： 2024-01-03 17:17:38
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
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9页 158K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB

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STB70NFS03LT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB70NFS03LT4 数据手册

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STB70NFS03L  
N-CHANNEL 30V - 0.008  
Ω - 70A D2PAK  
STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
V
R
DS(on)  
I
D
MOSFET  
DSS  
30 V  
< 0.01 Ω  
70 A  
I
V
V
F(MAX)  
SCHOTTKY  
3
F(AV)  
RRM  
1
3 A  
30 V  
0.51 V  
D2PAK  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
This product associates a Power MOSFET of the  
third genaration of STMicroelectronics unique “ Sin-  
gle Feature Size” strip-based process and a low  
drop Schottky diode. The transistor shows the best  
trade-off between on-resistance and gate charge.  
Used as low side in buck regulators, the product is  
the solution in terms of conduction losses and space  
saving.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
30  
Unit  
V
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
70  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
50  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
280  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.67  
–65 to 175  
175  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS Forward Current  
Value  
20  
Unit  
V
V
RRM  
I
20  
A
F(RMS)  
I
Average Forward Current  
TL = 125°C  
δ = 0.5  
3
A
F(AV)  
I
Surge Non Repetitive Forward Current  
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
75  
A
FSM  
dv/dt  
10000  
V/µs  
April 2001  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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