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STB70NFS03L PDF预览

STB70NFS03L

更新时间： 2024-09-29 22:20:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
N - CHANNEL 30V - 0.008ohm - 70A D2PAK STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER

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STB70NFS03L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.33Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB70NFS03L 数据手册

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STB70NFS03L  
2
N - CHANNEL 30V - 0.008Ω - 70A D PAK  
STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER  
PRELIMINARY DATA  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
VDSS  
RDS(on )  
ID  
MOSFET  
30V  
IF(AV)  
3A  
<0.01Ω  
VRRM  
30V  
70A  
VF(MAX)  
0.51V  
SCHOTTKY  
3
1
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION:  
This product associates a Power MOSFET of the  
third generation of STMicroelectronics unique  
”Single Feature Size” strip-based process and a  
low drop Schottky diode. The transistor shows the  
best trade-off between on-resistance and gate  
charge. Used as low side in buck regulators, the  
product is the best solution in terms of conduction  
losses and space saving.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Value  
30  
Unit  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
30  
± 22  
70  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
50  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
280  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
100  
W
Derating Factor  
0.67  
-65 to 175  
175  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
IF(RMS) RMS Forward Current  
20  
A
o
IF(AV)  
Average Forward Current  
TL=125 C  
=0.5  
3
A
δ
IFSM  
Surge Non Repetitive Forward Current  
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage  
tp= 10 ms  
Sinusoidal  
75  
A
dv/dt  
10000  
V/µs  
1/6  
April 2000  
123456

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与STB70NFS03L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB70NFS03L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel - 30V - 0.0075ohm - 70A D2PAK STripFET TM Power MOSFET plus schottky rectifier
STB70NFS03LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB
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