STB65G0

更新时间： 2024-11-23 03:05:23

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EIC		瞬态抑制器二极管
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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STB65G0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
击穿电压标称值：	400 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性：	BIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	342 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

STB65G0 数据手册

SURFACE MOUNT

BIDIRECTIONAL TRANSIENT

VOLTAGE SUPPRESSOR

STB606I - STB65G4

: 6.8 - 440 Volts

P : 600 Watts

SMB (DO-214AA)

FEATURES :

1.1 ± 0.3

* 600W surge capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low zener impedance

* Fast response time : typically less

then 1.0 ps from 0 volt to V_BR(min.)

* Typical I_Rless then 1mA above 10V

* Pb / RoHS Free

0.22 ± 0.07

2.0 ± 0.1

2.3 ± 0.2

3.6 ± 0.15

MECHANICAL DATA

Dimensions in millimeter

* Case : SMB Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Mounting position : Any

* Weight : 0.093 grams

DEVICES FOR UNIPOLAR APPLICATIONS

For Uni-directional altered the third letter of type from "B" to be "U".

Electrical characteristics apply in both directions

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Symbol

Value

Unit

PPK

Minimum 600

Peak Power Dissipation at Ta = 25 °C, Tp=1ms (Note1)

5.0

Steady State Power Dissipation at TL = 75 °C

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

- 55 to + 150

°C

Note :

(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 2 and derated above Ta = 25 C per Fig. 1

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Rev. 03 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB65G4	EIC	获取价格	SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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STB6LNC60T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 5.8A I(D) \| TO-263AB
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STB6NA80	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB6NA80-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 5.7A I(D) \| TO-262VAR