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STB16NF06L

更新时间： 2024-11-06 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 315K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET

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STB16NF06L 数据手册

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STB16NF06L  
2
N-CHANNEL 60V - 0.07 Ω - 16A D PAK  
STripFET™ POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB16NF06L  
60 V  
<0.09 Ω  
16 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.07Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
o
LOW GATE CHARGE AT 100 C  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
1
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-  
based process. The resulting transistor shows extremely  
high packing density for low on-resistance, rugged  
avalanche characteristics and less critical alignment  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
steps  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
60  
60  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
16  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
11  
A
D
C
I
(•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
45  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.3  
W/°C  
V/ns  
mJ  
°C  
°C  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
23  
dv/dt  
E
127  
AS  
T
stg  
-65 to 175  
-55 to 175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤ 16A, di/dt ≤ 210A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 8A, V = 30V  
j
D
DD  
February 2002  
1/9  
.
1234567...9

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STB16NF06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB18N06T4 ONSEMI

功能相似

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NTB18N06T4G ONSEMI

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 Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
NTB18N06 ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK

与STB16NF06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB16NF06L_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK STripFET™
STB16NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK STripFET
STB16NK60Z-S STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK
STB16NK65Z-S STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 650V-0.38OHM-13A TO-220 I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET
STB16NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A D2PAK MESH OVE
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 		N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERL
STB16PF06L STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB16PF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB17-0-0 TE

获取价格

 		STD and STB Markers

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