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STB16NB25

更新时间： 2024-09-17 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET

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STB16NB25 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB16NB25 数据手册

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STB16NB25  
N - CHANNEL 250V - 0.220Ω - 16A - TO-263  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB16NB25  
250 V  
< 0.28 Ω  
16 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.220 Ω  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
3
1
■
ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
250  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
V
V
)
250  
Ω
± 30  
16  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
10  
A
IDM(• ) Drain Current (pulsed)  
64  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
140  
W
1.12  
5.5  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
•
≤ ≤ µ ≤ ≤  
(1) ISD 16A, di/dt 200 A/ s, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX  
( ) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
March 1999  
12345678

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与STB16NB25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB16NB25T4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB
STB16NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A D2PAK STripFET
STB16NF06L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK STripFET™
STB16NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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