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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 433K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 30V - 0.0021ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 160 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 160 A | 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB160NF03LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 160A I(D) | TO-263AB |
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| STB160NF3LL | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.0026 ohm - 160A D2PAK STrip |
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| STB160NF3LL_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.0028ohm - 160A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET |
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| STB16N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.230 Ω, 12 A MDmesh? V Powe |
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| STB16N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| STB16N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、280 mOhm典型值、15 A MDmesh K5功率MOSFET，D |
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| STB16NB25 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET |
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| STB16NB25T4 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB |
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| STB16NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A D2PAK STripFET |
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| STB16NF06L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK STripFET™ |
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