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STB155N3LH6

更新时间: 2024-11-27 12:29:03
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管电视开关脉冲
页数 文件大小 规格书
18页 1013K
描述
N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

STB155N3LH6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:20 weeks
风险等级:5.7Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级(Eas):525 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STB155N3LH6 数据手册

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STB155N3LH6  
STD155N3LH6  
N-channel 30 V, 2.4 m, 80 A, D²PAK, DPAK  
STripFET™VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
(1)  
Order codes  
VDSS  
ID  
PTOT  
TAB  
STB155N3LH6  
STD155N3LH6  
30 V  
3.0 mΩ  
80 A 110 W  
TAB  
1. Current limited by package  
3
3
1
1
100% avalanche tested  
Logic level drive  
DPAK  
D²PAK  
Applications  
Switching applications  
Automotive  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using the 6 generation of STripFET™  
th  
DeepGATE™ technology, with a new gate  
structure. The resulting Power MOSFETs exhibits  
the lowest R  
in all packages.  
DS(on)  
'ꢄꢁꢆ  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB155N3LH6  
STD155N3LH6  
D2PAK  
DPAK  
155N3LH6  
Tape and reel  
September 2011  
Doc ID 17893 Rev 3  
1/18  
www.st.com  
18  
 

STB155N3LH6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD155N3LH6 STMICROELECTRONICS

完全替代

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