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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 5A991.G |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | COMPONENT | 增益： | 11.2 dB |
| JESD-609代码： | e3 | 最大工作频率： | 3000 MHz |
| 最小工作频率： | 50 MHz | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND MEDIUM POWER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SGA9189Z | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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| SGA-9189Z | SIRENZA | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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| SGA9189Z-EVB1 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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| SGA9189Z-EVB2 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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| SGA9189Z-EVB3 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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| SGA9189Z-EVB4 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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