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NGA-386

更新时间： 2024-02-02 09:32:06
品牌 Logo 应用领域
STANFORD 放大器射频微波
页数 文件大小 规格书
7页 284K
描述
DC-5000 MHz, Cascadable GaAs HBT MMIC Amplifier

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NGA-386 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SL,4GW-LD,.085CIRReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：18.8 dB最大输入功率 (CW)：10 dBm
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：4最大工作频率：5000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SL,4GW-LD,.085CIR电源：4 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：45 mA表面贴装：YES
技术：BIPOLAR最大电压驻波比：1.3
Base Number Matches：1

NGA-386 数据手册

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Preliminary  
Product Description  
NGA-386  
DC-5000 MHz, Cascadable GaAs  
HBT MMIC Amplifier  
Stanford Microdevices’ NGA-386 is a high performance  
Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor MMIC  
Amplifier. Designed with InGaP process technology for  
improved reliability, a Darlington configuration is utilized for  
broadband performance up to 5 Ghz. The heterojunction  
increases breakdown voltage and minimizes leakage current  
between junctions. Cancellation of emitter junction  
non-linearities results in higher suppression of intermodulation  
products.  
Product Features  
Small Signal Gain vs. Frequency  
• High Gain: 18.9dB at 1950Mhz  
• Cascadable 50 ohm: 1.2:1 VSWR  
• Patented GaAs HBT Technology  
• Operates from Single Supply  
• Low Thermal Resistance Package  
• Unconditionally Stable  
25  
20  
15  
dB  
10  
5
Applications  
• Cellular, PCS, CDPD  
• Wireless Data, SONET  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Frequency GHz  
Parameters: Test Conditions:  
Z0 = 50 Ohms, ID = 35 mA, T = 25ºC  
Symbol  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
f = 850 MHz  
f = 1950 MHz  
f = 2400 MHz  
dBm  
dBm  
dBm  
14.5  
15.0  
15.6  
Output Power at 1dB Compression  
P1dB  
f = 850 MHz  
f = 1950 MHz  
f = 2400 MHz  
dBm  
dBm  
dBm  
25.8  
27.0  
27.0  
Third Order Intercept Point  
Power out per tone = 0 dBm  
IP3  
S21  
f = 850 MHz  
f = 1950 MHz  
f = 2400 MHz  
dB  
dB  
dB  
20.9  
18.9  
18.0  
Small Signal Gain  
Bandwidth  
S11  
3dB Bandwidth  
Input VSWR  
MHz  
2000  
1.2:1  
1.3:1  
f = DC - 5000 MHz  
f = DC - 5000 MHz  
-
-
Output VSWR  
S22  
f = 850 MHz  
f = 1950 MHz  
f = 2400 MHz  
dB  
dB  
dB  
23.4  
22.2  
21.6  
Reverse Isolation  
S12  
NF  
Noise Figure  
f = 2000 MHz  
dB  
V
2.7  
4.0  
144  
Device Voltage  
VD  
Rth, j-l  
Thermal Resistance (junction - lead)  
ºC/W  
The information provided herein is believed to be reliable at press time. Stanford Microdevices assumes no responsibility for inaccuracies or omissions.  
Stanford Microdevices assumes no responsibility for the use of this information, and all such information shall be entirely at the user’s own risk. Prices and specifications are subject to change  
without notice. No patent rights or licenses to any of the circuits described herein are implied or granted to any third party. Stanford Microdevices does not authorize or warrant any Stanford  
Microdevices product for use in life-support devices and/or systems.  
Copyright 2000 Stanford Microdevices, Inc. All worldwide rights reserved.  
522 Almanor Ave., Sunnyvale, CA 94086  
Phone: (800) SMI-MMIC  
1
http://www.stanfordmicro.com  
EDS-101103 Rev C  
1234567

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