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STA8550SFB

更新时间： 2024-02-18 15:43:39

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可天士 - KODENSHI		/
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描述
Transistor,

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STA8550SFB 数据手册

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STA8550SF

PNP Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• High current application

• Radio in class B push-pull operation

3

Feature

1

• Complementary pair with STC8050SF

2

SOT-23F

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

8B □ □

STA8550SF

SOT-23F

①

② ③

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute Maximum Ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

-30

Unit

Collector-base voltage

V

V

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-25

-6

V

Collector current

-800

350

mA

mW

°C

*

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

T_J

150

Storage temperature range

* : Package mounted on 99.5% Alumina 10×8×0.6mm

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Characteristic

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

BV_CEO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

I_C=-1mA, I_B=0

-25

-

-

V

nA

nA

-

V_CB=-30V, I_E=0

-

-

-

-

-50

-50

300

-0.5

-1.2

-

I_EBO

V_EB=-6V, I_C=0

*

DC current gain

h_FE

V_CE=-1V, I_C=-50mA

I_C=-500mA, I_B=-50mA

V_CE=-1V, I_C=-500mA

V_CE=-5V, I_C=-10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

85

-

-

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

-

V

-

-0.85

200

19

V

Transition frequency

f_T

-

MHz

pF

Collector output capacitance

C_ob

-

-

* : h_FERank

/

B : 85~160, C : 120~200, D : 160~300

KSD-T5C001-001

1

12 3 4

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