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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> STA315A
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STA315A

更新时间： 2024-02-15 23:24:53
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Power Transistor Array

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STA315A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：41 V
配置：COMMON EMITTER, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PSIP-T8元件数量：3
端子数量：8最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STA315A 数据手册

  
Power Transistor Array STA315A  
External Dimensions STA3 (LF400A)  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta =25ºC)  
(Ta =25ºC)  
Symbol  
Ratings  
35±5  
Unit  
V
Symbol  
Test Conditions  
Ratings  
10max  
2.7max  
31 to 41  
400min  
0.2max  
0.5max  
2.5max  
800±120  
2.0±0.4  
50min  
Unit  
µA  
mA  
V
20.2±0.2  
I
V
=
30V  
6V  
V
CBO  
CBO  
CB  
V
=
V
CEO  
36±5  
I
EBO  
V
EB  
b
I
C
= 25mA  
V
EBO  
6
V
V
CEO  
a
I
C
h
V
=
4V, I  
C
=
=
0.7A  
5mA  
2 (pulse 3  
30  
*)  
A
FE  
CE  
I
B
mA  
W
W
ºC  
ºC  
I
C
=
0.5A, I  
B
V
V
V
CE (sat)  
3 (Ta =25ºC)  
13.5 (Tc =25ºC)  
150  
I
=
1A,  
I
= 5mA  
2A  
C
B
P
T
0.5±0.15  
1.0±0.25  
7 • 2.54=17.78±0.25  
V
FEC  
I
=
V
FEC  
(2.54)  
Tj  
R
R
Ω
B
kΩ  
mJ  
Tstg  
–55 to +150  
BE  
Es/b  
L = 10mH, single pulse  
C1.5±0.5  
*
PW 1ms, Duty 25%  
Typical Switching Characteristics  
1
E
2
B
3
C
4
B
5
C
6
B
7
C
8
E
V
(V)  
R
(Ω)  
I
(A)  
V
(V)  
V
(V)  
I
I
t
t
t
f
(µs)  
CC  
L
C
BB1  
BB2  
B1  
B2  
on  
stg  
a) Type No.  
b) Lot No.  
(mA) (mA)  
(µs)  
(µs)  
12  
12  
1
10  
–5  
5
0
1.0  
8.5  
2.5  
(Unit: mm)  
VCE (sat) — IC Temperature Characteristics  
3
VCE (sat) — IB Temperature Characteristics  
■
■
IC — VCE Characteristics (typ.)  
3
■
(IC = 0.5A)  
0.5  
8mA  
5mA  
IC/ IB  
=
100  
2
1
2
1
0
3mA  
2mA  
T
=
125ºC  
75ºC  
25ºC  
a
T
a
=
125ºC  
75ºC  
0.25  
25ºC  
–40ºC  
IB  
=
1mA  
–40ºC  
0
0
1
10  
100  
400  
0
0.5  
1
5
0
1
2
3
4
5
6
IB (mA)  
IC (A)  
VCE (V)  
hFE — IC Temperature Characteristics  
j-a — t Characteristics  
20  
■
t
on•  
50  
t
stg •  
t
f — IC Characteristics (typ.)  
IB  
■
■
(VCE  
=
4V)  
3000  
VCC  
=
=
5mA  
12V  
Single pulse  
t
stg  
10  
5
–IB = 0A  
10  
5
1000  
500  
t
f
t
on  
T
a
=
125ºC  
75ºC  
1
0.5  
25ºC  
100  
50  
–40ºC  
1
0.1  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.1  
0.5  
1
4
Ic (A)  
t (ms)  
IC (A)  
Safe Operating Area (single pulse)  
PT — Ta Derating  
20  
■
■
Equivalent Circuit Diagram  
(per element)  
5
3
5
7
1
10  
RB  
4
6
2
1
0.5  
RBE  
8
Without heatsink  
natural air cooling  
0.1  
0
1
5
10  
50  
0
50  
100  
150  
VCE (V)  
Ta (ºC)  
62  
1

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