Datasheet > 存储 > EEPROM> ST93C57CM1013TR

ST93C57CM1013TR

更新时间： 2024-10-30 22:40:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数	文件大小	规格书
13页	110K
描述
2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ST93C57CM1013TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES; 40 YEARS DATA RETENTION; USER CONFIGURABLE AS 128 X 16
备用内存宽度：	8	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.9 mm	内存密度：	2048 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

ST93C57CM1013TR 数据手册

ST93C56, 56C

ST93C57C

2K (128 x 16 or 256 x 8) SERIAL MICROWIRE EEPROM

NOT FOR NEW DESIGN

1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES, with

40 YEARS DATARETENTION

DUAL ORGANIZATION: 128 x 16 or 256 x 8

BYTE/WORDand ENTIRE MEMORY

PROGRAMMING INSTRUCTIONS

SELF-TIMED PROGRAMMING CYCLE with

AUTO-ERASE

READY/BUSY SIGNAL DURING

PROGRAMMING

SINGLE SUPPLY VOLTAGE:

PSDIP8 (B)

0.4mm Frame

SO8 (M)

150mil Width

– 4.5V to 5.5V for ST93C56 version

– 3V to 5.5V for ST93C57 version

SEQUENTIAL READ OPERATION

5ms TYPICAL PROGRAMMING TIME

ST93C56, ST93C56C, ST93C57C are

replaced by the M93C56

Figure 1. Logic Diagram

DESCRIPTION

This specification covers a range of 2K bit serial

EEPROM products, the ST93C56, 56C specified

at 5V ± 10% and the ST93C57C specified at 3V to

5.5V. In the text, products are referred to as

ST93C56.

The ST93C56 is a 2K bit Electrically Erasable

ProgrammableMemory(EEPROM)fabricatedwith

SGS-THOMSON’s High EnduranceSingle Polysili-

con CMOS technology. The memory is accessed

through a serial input (D) and output (Q). The 2K

bit memory is divided into either 256 x 8 bit bytes

or 128 x 16 bit words. The organization may be

selected by a signal applied on the ORG input.

ST93C56

ST93C57

ORG

Table 1. Signal Names

Chip Select Input

Serial Data Input

Serial Data Output

Serial Clock

AI00881C

ORG

V_CC

V_SS

Organisation Select

Supply Voltage

Ground

June 1997

1/13

This is information on a product still in production but not recommended for new designs.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与ST93C57CM1013TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ST93C57CM1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57CM3	ETC	获取价格	Microwire Serial EEPROM
ST93C57CM3013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57CM3TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57CM6	ETC	获取价格	Microwire Serial EEPROM
ST93C57CM6013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57CM6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57M1013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57M1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C57M3013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2K 128 x 16 or 256 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM

与ST93C57CM1013TR相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

20
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

21
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ST93C57CM1013TR

ST93C57CM1013TR 技术参数

ST93C57CM1013TR 数据手册

与ST93C57CM1013TR相关器件

与ST93C57CM1013TR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ST93C57CM1013TR

ST93C57CM1013TR 技术参数

ST93C57CM1013TR 数据手册

与ST93C57CM1013TR相关器件

与ST93C57CM1013TR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？