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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BUTTON | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.01 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间： | 20 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-200AB | JESD-30 代码： | O-CXDB-X3 |
| 最大漏电流： | 50 mA | 通态非重复峰值电流： | 8320 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 620000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1180 A | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST303C10CCK3P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCL0 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST303C10CCL0LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCL1 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST303C10CCL1LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCL2P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCL3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST303C10CCL3LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCP0LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCP1 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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