是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BUTTON | 包装说明: | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.01 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH SPEED |
外壳连接: | ISOLATED | 标称电路换相断开时间: | 20 µs |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 200 mA | 最大直流栅极触发电压: | 3 V |
最大维持电流: | 600 mA | JEDEC-95代码: | TO-200AB |
JESD-30 代码: | O-CXDB-X3 | 最大漏电流: | 50 mA |
通态非重复峰值电流: | 8320 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大通态电流: | 620000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 1180 A |
断态重复峰值电压: | 1000 V | 重复峰值反向电压: | 1000 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST303C10CCK1 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) | |
ST303C10CCK1LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
ST303C10CCK1P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
ST303C10CCK2LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
ST303C10CCK3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) | |
ST303C10CCK3LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
ST303C10CCK3P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
ST303C10CCL0 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) | |
ST303C10CCL0LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
ST303C10CCL1 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |