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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BUTTON | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JEDEC-95代码： | TO-200AB |
| JESD-30 代码： | O-CXDB-X3 | 最大漏电流： | 50 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 8320 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 620000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1180 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST303C10CCK0P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCK1 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST303C10CCK1LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
|
| ST303C10CCK1P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCK2LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCK3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST303C10CCK3LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCK3P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| ST303C10CCL0 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST303C10CCL0LP | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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