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ST303C10CCK0

更新时间: 2024-11-19 14:31:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极
页数 文件大小 规格书
10页 184K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 620000mA I(T), 1000V V(DRM)

ST303C10CCK0 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.19Is Samacsys:N
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:600 mA
最大漏电流:50 mA通态非重复峰值电流:8320 A
最大通态电压:2.16 V最大通态电流:620000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
断态重复峰值电压:1000 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ST303C10CCK0 数据手册

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Bulletin I25186 rev. B 04/00  
ST303C..L SERIES  
INVERTER GRADE THYRISTORS  
Hockey Puk Version  
Features  
Metal case with ceramic insulator  
International standard case TO-200AC (B-PUK)  
All diffused design  
515A  
Center amplifying gate  
Guaranteed high dV/dt  
Guaranteed high dI/dt  
High surge current capibility  
Low thermal impedance  
High speed performance  
TypicalApplications  
Inverters  
Choppers  
case style TO-200AC (B-PUK)  
Induction heating  
All types of force-commutated converters  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters  
IT(AV)  
ST303C..L  
Units  
515  
55  
A
°C  
@ T  
hs  
IT(RMS)  
ITSM  
I2t  
995  
25  
A
@ T  
°C  
hs  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
7950  
8320  
316  
289  
A
A
KA2s  
KA2s  
V
DRM/VRRM  
400 to 1200  
10 to 30  
V
t range (*)  
q
µs  
TJ  
- 40 to 125  
°C  
(*) t = 10 to 20µs for 400 to 800V devices  
q
t
= 15 to 30µs for 1000 to 1200V devices  
q
Document Number: 93675  
www.vishay.com  
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