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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BUTTON | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.04 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间： | 30 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-200AB | JESD-30 代码： | O-CXDB-X3 |
| 最大漏电流： | 40 mA | 通态非重复峰值电流： | 5510 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 370000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 700 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST203C10CCH3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 370000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST203C10CCH3L | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 370000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST203C10CCH3LP | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 370000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| ST203C10CCH3P | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 370000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
|
| ST203C10CCJ0 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 370000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| ST203C10CCJ0L | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 370000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
|
| ST203C10CCJ0LP | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 370000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
|
| ST203C10CCJ0L-PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| ST203C10CCJ0PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| ST203C10CCJ0-PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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