是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BUTTON |
包装说明: | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.58 | 其他特性: | HIGH SPEED |
外壳连接: | ISOLATED | 标称电路换相断开时间: | 25 µs |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 200 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 600 mA |
JEDEC-95代码: | TO-200AB | JESD-30 代码: | O-CEDB-N2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 610 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 40000 µA | 断态重复峰值电压: | 1000 V |
重复峰值反向电压: | 1000 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST173C10CDJ0LPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A | |
ST173C10CDJ0P | INFINEON |
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INVERTER GRADE THYRISTORS | |
ST173C10CDJ0P | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E | |
ST173C10CDJ0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A | |
ST173C10CDJ1L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1000V V(DRM) | |
ST173C10CDJ1LP | INFINEON |
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INVERTER GRADE THYRISTORS | |
ST173C10CDJ1LPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A | |
ST173C10CDJ1P | INFINEON |
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INVERTER GRADE THYRISTORS | |
ST173C10CDJ1PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A | |
ST173C10CDJ2L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1000V V(DRM) |