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ST110S16P0VLPBF

更新时间： 2025-07-16 11:49:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
10页 166K
描述
Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A

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ST110S16P0VLPBF 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：150 mA
JEDEC-95代码：TO-209ACJESD-30 代码：O-MUPM-H3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：175 A断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST110S16P0VLPBF 数据手册

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ST110SPbF Series  
Vishay Semiconductors  
Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A  
FEATURES  
• Center gate  
• International standard case TO-209AC (TO-94)  
• Compression bonded encapsulation for heavy  
duty operations such as severe thermal cycling  
• Hermetic glass-metal case with ceramic insulator  
(Glass-metal seal over 1200 V)  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for industrial level  
TO-209AC (TO-94)  
TYPICAL APPLICATIONS  
• DC motor controls  
PRODUCT SUMMARY  
IT(AV)  
110 A  
• Controlled DC power supplies  
• AC controllers  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
110  
UNITS  
A
IT(AV)  
TC  
90  
°C  
IT(RMS)  
175  
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
2700  
A
ITSM  
2830  
36.4  
I2t  
kA2s  
33.2  
V
DRM/VRRM  
400 to 1600  
100  
V
tq  
Typical  
μs  
°C  
TJ  
- 40 to 125  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
V
DRM/VRRM, MAXIMUM  
REPETITIVE PEAK  
VRSM, MAXIMUM  
I
DRM/IRRM MAXIMUM  
VOLTAGE  
CODE  
NON-REPETITIVE  
PEAK VOLTAGE  
V
TYPE NUMBER  
AT TJ = TJ MAXIMUM  
mA  
AND OFF-STATE VOLTAGE  
V
04  
08  
12  
16  
400  
800  
500  
900  
ST110S  
20  
1200  
1600  
1300  
1700  
Document Number: 94393  
Revision: 17-Aug-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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