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ST1000B210CTX PDF预览

ST1000B210CTX

更新时间： 2024-09-30 09:01:43
品牌 Logo 应用领域
SSDI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 180V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, MINISTUD-1

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ST1000B210CTX 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-MUPM-X1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.74最大击穿电压：220.5 V
最小击穿电压：199.5 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-MUPM-X1最大非重复峰值反向功率耗散：1000 W
元件数量：1端子数量：1
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W参考标准：MIL-19500
最大重复峰值反向电压：180 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

ST1000B210CTX 数据手册

 浏览型号ST1000B210CTX的Datasheet PDF文件第2页 
Solid State Devices, Inc.  
ST1000 Series  
14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638  
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773  
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com  
DESIGNER’S DATA SHEET  
FEATURES:  
1000 W  
•
•
•
•
Hermetically Sealed in Glass  
High Peak Transient Power 1000 W  
Can Be Used as a 5 W Zener  
Available in Axial, Surface Mount, and Ministud  
Configurations  
Transient Voltage Suppressor  
7.5 – 270 VOLTS  
TX, TXV, and Space Level Screening Available2/  
Axial  
•
Higher Voltages Available (consult factory)  
Part Number / Ordering Information 1/  
ST1000 A 9.6 SMS TX  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
––  
––  
0.047”  
1.0”  
MAX  
0.158”  
0.185”  
0.053”  
––  
Screening 2/  
│
│
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└
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└
│
│
│
│
│
└
__ = Not Screened  
TX = TX Level  
TXV = TXV Level  
S = S Level  
Package: 3/  
└
SMS  
__ = Axial  
SMS = Square Tab  
V = Isolated Ministud  
C = Ministud  
Voltage: 9.6 = 9.6V  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
0.160”  
0.225”  
0.027”  
––  
Tolerance A = ± 10%  
B = ± 5 %  
0.155"  
0.200”  
0.018”  
0.001”  
Maximum Ratings  
Symbol Value Units  
Peak pulse power dissipation 5/  
10/1000 µs waveform (see Fig 1 & 2)  
Isolated Ministud  
1000 -  
500  
PPPM  
W
W
ºC  
Steady State Power Dissipation  
Axial Lead : TL=25ºC, L=3/8"  
SMS & Ministud: TC or TE = 75 ºC  
PD  
5.0  
-65 to  
+175  
Operating and Storage Temp.  
Top & Tstg  
Maximum Forward Voltage Drop  
IF = 1.0 Apk, TA = 25 ºC, pulsed  
Ministud  
VF  
V
1.2  
25  
Thermal Resistance,  
Junction to Lead L=3/8”  
RθJL  
ºC/W  
Thermal Resistance,  
Junction to End Cap  
Junction to Case  
RθJE  
RθJC  
ºC/W  
8
NOTES:  
1/ For ordering information, price, and availability – contact factory.  
2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request. X-Ray shall be performed in lieu of Precap Inspection – Consult factory.  
3/ Consult factory for package outlines.  
4/ Pulsed @ 300µs nominal, other pulse widths will provide different results due to self heating.  
5/ Non-repetitive current pulse. For voltages greater than 120V the peak power rating is 500 W.  
NOTE: All specifications are subject to change without notification.  
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.  
DATA SHEET #: T00033B  
DOC  
12

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