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ST083S08PFK2L

更新时间: 2024-02-09 10:21:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极
页数 文件大小 规格书
9页 592K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 85000mA I(T), 800V V(DRM)

ST083S08PFK2L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79Is Samacsys:N
标称电路换相断开时间:20 µs最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:600 mA
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:2500 A
最大通态电压:2.2 V最大通态电流:85000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
断态重复峰值电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

ST083S08PFK2L 数据手册

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与ST083S08PFK2L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ST083S08PFK2PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,

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ST083S08PFL0LPBF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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ST083S08PFL1 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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ST083S08PFL2 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD

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