生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 450 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.2 A |
最大漏源导通电阻: | 8.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SSU1N50 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.2A I(D) | TO-251 |
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SSU1N50A | FAIRCHILD | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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SSU1N50ATU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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SSU1N50B | FAIRCHILD | 520V N-Channel MOSFET |
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SSU1N50BTU | ONSEMI | 520 V N 沟道 MOSFET |
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SSU1N55 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 550V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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