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SSTSD203T2

更新时间: 2024-02-24 21:43:01
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

SSTSD203T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.90.00.00风险等级:5.74
外壳连接:SUBSTRATE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.3 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1.8 W最小功率增益 (Gp):8 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSTSD203T2 数据手册

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