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SST5911T1

更新时间: 2024-12-02 05:12:11
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, SO-8

SST5911T1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.90.00.00风险等级:5.83
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTSFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:2
端子数量:8工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SST5911T1 数据手册

  

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