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Datasheet > 存储 > 闪存> SST39SF040-55-4I-WHE
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SST39SF040-55-4I-WHE

更新时间： 2024-11-08 12:01:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 273K
描述
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

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SST39SF040-55-4I-WHE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSSOP, TSSOP32,.56,20针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：2.03Is Samacsys：N
最长访问时间：55 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

SST39SF040-55-4I-WHE 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040  
Data Sheet  
The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 are CMOS Multi-Purpose  
Flash (MPF) devices manufactured with SST proprietary, high performance  
CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnel-  
ing injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate  
approaches. The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 write (Program  
or Erase) with a 4.5-5.5V power supply, and conforms to JEDEC standard pinouts  
for x8 memories  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Single 4.5-5.5V Read and Write Operations  
• Superior Reliability  
• Fast Erase and Byte-Program  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39SF010A  
4 seconds (typical) for SST39SF020A  
8 seconds (typical) for SST39SF040  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
• End-of-Write Detection  
– Active Current: 10 mA (typical)  
– Standby Current: 30 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
• TTL I/O Compatibility  
– Uniform 4 KByte sectors  
• JEDEC Standard  
• Fast Read Access Time:  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns  
– 70 ns  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 32-pin PDIP  
• Latched Address and Data  
• Automatic Write Timing  
• All devices are RoHS compliant  
– Internal VPP Generation  
www.microchip.com  
©2013 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25022B  
04/13  
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SST39SF040-55-4I-WHE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST39SF040-55-4C-WHE MICROCHIP

功能相似

 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

与SST39SF040-55-4I-WHE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39SF040-70-4C-NH SST

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SST39SF040-70-4C-NHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF040-70-4C-PHE SILICON

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PDIP32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
SST39SF040-70-4C-WH SST

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