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Datasheet > 存储 > 闪存> SST39SF020A-55-4C-NHE
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SST39SF020A-55-4C-NHE

更新时间： 2024-11-01 12:01:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 273K
描述
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

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SST39SF020A-55-4C-NHE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：2.04Is Samacsys：N
最长访问时间：55 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：64
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
部门规模：4K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

SST39SF020A-55-4C-NHE 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040  
Data Sheet  
The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 are CMOS Multi-Purpose  
Flash (MPF) devices manufactured with SST proprietary, high performance  
CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnel-  
ing injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate  
approaches. The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 write (Program  
or Erase) with a 4.5-5.5V power supply, and conforms to JEDEC standard pinouts  
for x8 memories  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Single 4.5-5.5V Read and Write Operations  
• Superior Reliability  
• Fast Erase and Byte-Program  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39SF010A  
4 seconds (typical) for SST39SF020A  
8 seconds (typical) for SST39SF040  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
• End-of-Write Detection  
– Active Current: 10 mA (typical)  
– Standby Current: 30 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
• TTL I/O Compatibility  
– Uniform 4 KByte sectors  
• JEDEC Standard  
• Fast Read Access Time:  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns  
– 70 ns  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 32-pin PDIP  
• Latched Address and Data  
• Automatic Write Timing  
• All devices are RoHS compliant  
– Internal VPP Generation  
www.microchip.com  
©2013 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25022B  
04/13  
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SST39SF020A-55-4C-NHE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST39SF020A-55-4C-NHE-T MICROCHIP

完全替代

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SST39SF020A-55-4I-NHE-T MICROCHIP

类似代替

 IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
SST39SF020A-55-4I-NHE MICROCHIP

类似代替

 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

与SST39SF020A-55-4C-NHE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39SF020A-55-4C-NHE-T MICROCHIP

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SST39SF020A-55-4C-WHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF020A-55-4I-NHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF020A-55-4I-NHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
SST39SF020A-55-4I-WHE MICROCHIP

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 		256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32, 8 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142BA, TSOP-32
SST39SF020A-55-5I-WHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF020A-70-4C-NH SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF020A-70-4C-NHE SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF020A-70-4C-NHE MICROCHIP

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SST39SF020A-70-4C-NHE-T MICROCHIP

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