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Datasheet > 存储 > 闪存> SST39SF010A-70-4C-WHE-T
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SST39SF010A-70-4C-WHE-T

更新时间： 2024-11-01 13:00:11
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 闪存存储内存集成电路PC
页数 文件大小 规格书
28页 273K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC

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SST39SF010A-70-4C-WHE-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSOP1, TSSOP32,.56,20Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.61
最长访问时间：70 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：12.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：32
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

SST39SF010A-70-4C-WHE-T 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040  
Data Sheet  
The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 are CMOS Multi-Purpose  
Flash (MPF) devices manufactured with SST proprietary, high performance  
CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnel-  
ing injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate  
approaches. The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 write (Program  
or Erase) with a 4.5-5.5V power supply, and conforms to JEDEC standard pinouts  
for x8 memories  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Single 4.5-5.5V Read and Write Operations  
• Superior Reliability  
• Fast Erase and Byte-Program  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39SF010A  
4 seconds (typical) for SST39SF020A  
8 seconds (typical) for SST39SF040  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
• End-of-Write Detection  
– Active Current: 10 mA (typical)  
– Standby Current: 30 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
• TTL I/O Compatibility  
– Uniform 4 KByte sectors  
• JEDEC Standard  
• Fast Read Access Time:  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns  
– 70 ns  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 32-pin PDIP  
• Latched Address and Data  
• Automatic Write Timing  
• All devices are RoHS compliant  
– Internal VPP Generation  
www.microchip.com  
©2013 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25022B  
04/13  
1234567...28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39SF010A-70-4I-NH SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4I-NHE SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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