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Datasheet > 存储 > 闪存> SST39SF010A-70-4C-PHE
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SST39SF010A-70-4C-PHE

更新时间： 2024-11-01 12:01:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 闪存存储内存集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
28页 273K
描述
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

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SST39SF010A-70-4C-PHE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.45Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：276553
Samacsys Pin Count：32Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Dual-In-Line PackagesSamacsys Footprint Name：32-pdip-PH-3
Samacsys Released Date：2018-01-26 21:00:09Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e3长度：41.91 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：32端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm部门规模：4K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

SST39SF010A-70-4C-PHE 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040  
Data Sheet  
The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 are CMOS Multi-Purpose  
Flash (MPF) devices manufactured with SST proprietary, high performance  
CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnel-  
ing injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate  
approaches. The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 write (Program  
or Erase) with a 4.5-5.5V power supply, and conforms to JEDEC standard pinouts  
for x8 memories  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Single 4.5-5.5V Read and Write Operations  
• Superior Reliability  
• Fast Erase and Byte-Program  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39SF010A  
4 seconds (typical) for SST39SF020A  
8 seconds (typical) for SST39SF040  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
• End-of-Write Detection  
– Active Current: 10 mA (typical)  
– Standby Current: 30 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
• TTL I/O Compatibility  
– Uniform 4 KByte sectors  
• JEDEC Standard  
• Fast Read Access Time:  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns  
– 70 ns  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 32-pin PDIP  
• Latched Address and Data  
• Automatic Write Timing  
• All devices are RoHS compliant  
– Internal VPP Generation  
www.microchip.com  
©2013 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25022B  
04/13  
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SST39SF010A-70-4C-PHE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AM29F010B-70PD SPANSION

功能相似

 1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

与SST39SF010A-70-4C-PHE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39SF010A-70-4C-U1 SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-WH SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-WHE SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-WHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-WHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC
SST39SF010A-70-4I-NH SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4I-NHE SST

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SST39SF010A-70-4I-NHE MICROCHIP

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SST39SF010A-70-4I-PH SST

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