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SST39SF010A-70-4C-NHE

更新时间： 2024-09-19 12:01:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 闪存存储内存集成电路PC
页数 文件大小 规格书
28页 273K
描述
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

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SST39SF010A-70-4C-NHE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.14Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：365306
Samacsys Pin Count：32Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Plastic Leaded Chip CarrierSamacsys Footprint Name：SST39SF010A-70-4C-NHE
Samacsys Released Date：2017-01-22 08:17:37Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：32
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
部门规模：4K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

SST39SF010A-70-4C-NHE 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040  
Data Sheet  
The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 are CMOS Multi-Purpose  
Flash (MPF) devices manufactured with SST proprietary, high performance  
CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnel-  
ing injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate  
approaches. The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 write (Program  
or Erase) with a 4.5-5.5V power supply, and conforms to JEDEC standard pinouts  
for x8 memories  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Single 4.5-5.5V Read and Write Operations  
• Superior Reliability  
• Fast Erase and Byte-Program  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39SF010A  
4 seconds (typical) for SST39SF020A  
8 seconds (typical) for SST39SF040  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
• End-of-Write Detection  
– Active Current: 10 mA (typical)  
– Standby Current: 30 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
• TTL I/O Compatibility  
– Uniform 4 KByte sectors  
• JEDEC Standard  
• Fast Read Access Time:  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns  
– 70 ns  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 32-pin PDIP  
• Latched Address and Data  
• Automatic Write Timing  
• All devices are RoHS compliant  
– Internal VPP Generation  
www.microchip.com  
©2013 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25022B  
04/13  
1234567...28

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SST39SF010A-70-4C-NHE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST39SF010A-70-4C-WHE MICROCHIP

完全替代

 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4I-NHE MICROCHIP

类似代替

 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

与SST39SF010A-70-4C-NHE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39SF010A-70-4C-PH SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-PHE SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-PHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-U1 SST

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SST39SF010A-70-4C-WH SST

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SST39SF010A-70-4C-WHE SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-WHE MICROCHIP

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4C-WHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC
SST39SF010A-70-4I-NH SST

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 		1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39SF010A-70-4I-NHE SST

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