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SST30VR023-500-E-WH

更新时间： 2024-02-15 15:34:13

品牌	Logo	应用领域
芯科 - SILICON		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	103K
描述
Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32

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SST30VR023-500-E-WH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
其他特性：	ALSO CONTAINS 32K X 8 SRAM	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	12.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	混合内存类型：	ROM+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.0065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

SST30VR023-500-E-WH 数据手册

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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM

ROM/RAM Combo

SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023

SST30VR021/022/0232 Mb Mask ROM (x8) + 1 Mb / 2Mb / 256 Kb SRAM (x8) Combo

Data Sheet

FEATURES:

•

ROM + SRAM ROM/RAM Combo

•

Low Power Dissipation:

– SST30VR021: 256K x8 ROM + 128K x8 SRAM

– SST30VR022: 256K x8 ROM + 256K x8 SRAM

– SST30VR023: 256K x8 ROM + 32K x8 SRAM

– Standby: 3 µW (Typical)

– Operating: 10 mW (Typical)

Fully Static Operation

– No clock or refresh required

Three state Outputs

•

ROM/RAM combo on a monolithic chip

Equivalent ComboMemory (Flash + SRAM):

SST31LF021E for code development and

pre-production

•

Packages Available

– 32-pin TSOP (8mm x14mm)

•

Wide Operating Voltage Range: 2.7-3.3V

Chip Access Time

– SST30VR022

70 ns

– SST30VR021/023 500 ns

PRODUCT DESCRIPTION

The SST30VR021/022/023 are ROM/RAM combo chips

consisting of 2 Mbit Read Only Memory organized as 256

KBytes and Static Random Access Memory organized as

128, 256, and 32 KBytes.

The SST30VR021/022/023 has an output enable input for

precise control of the data outputs. It also has two (2) sepa-

rate chip enable inputs for selection of either RAM or ROM

and for minimizing current drain during power-down mode.

The device is fabricated using SST’s advanced CMOS low

power process technology.

The SST30VR021/022/023 is particularly well suited for

use in low voltage (2.7-3.3V) supplies such as pagers,

organizers and other handheld applications.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

RAMCS#

ROMCS#

OE#

WE#

RAM

DQ -DQ

ROMCS#

OE#

-A

ROM

380 ILL B1.1

Note: A

= Most Significant Address

The SST logo and SuperFlash are registered trademarks of Silicon Storage Technology, Inc.

ComboMemory is a trademark of Silicon Storage Technology, Inc.

These specifications are subject to change without notice.

S71135-02-000 4/01

380

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SST30VR041-150-C-U1	SST	获取价格	4 Mbit ROM + 1 Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo
SST30VR041-150-C-WH	ETC	获取价格	MIXED MEMORY\|SRAM+ROM\|CMOS\|TSSOP\|32PIN\|PLASTIC
SST30VR041-150-E-WH	ETC	获取价格	MIXED MEMORY\|SRAM+ROM\|CMOS\|TSSOP\|32PIN\|PLASTIC
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