是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.89 |
其他特性: | ALSO CONTAINS 32K X 8 SRAM | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 12.4 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 8 | 混合内存类型: | ROM+SRAM |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.0065 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST30VR023-500-E-KH | ETC |
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SRAM/ROM | |
SST30VR023-500-E-WH | SST |
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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR023-500-E-WH | SILICON |
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Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32 | |
SST30VR023-500-I-KH | ETC |
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SRAM/ROM | |
SST30VR023-500-I-WH | ETC |
获取价格 |
SRAM/ROM | |
SST30VR023-70-C-WH | SST |
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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR023-70-E-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR041 | SST |
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4 Mbit ROM + 1 Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR041-150-C-U1 | SST |
获取价格 |
4 Mbit ROM + 1 Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR041-150-C-WH | ETC |
获取价格 |
MIXED MEMORY|SRAM+ROM|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC |