是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP, SOP8,.3 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 14 weeks | 风险等级: | 1.45 |
最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 5.26 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 3 V |
筛选级别: | AEC-Q100 | 座面最大高度: | 2.03 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000045 A |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 5.25 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SST26VF032BT-104V/SM | MICROCHIP |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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2.5V/3.0V 32 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory | |
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2.5V/3.0V 32 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory | |
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2.5V/3.0V 32 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory | |
SST26VF032BEUI | MICROCHIP |
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The SST26VF032BEUI Serial Quad I/O (SQI) flash device is factory-programmed with EUI-48? | |
SST26VF032BEUI-104I/SM | MICROCHIP |
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SST26VF032BEUIT-104I/SM | MICROCHIP |
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