是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.150 INCH, MS-012AA, SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.58 | 最大时钟频率 (fCLK): | 33 MHz |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 组织: | 512KX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000015 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 3.9 mm | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST25VF512A-33-4E-SAE | SST |
获取价格 |
512 Kbit SPI Serial Flash | |
SST25VF512A-33-4E-SAE | SILICON |
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EEPROM, 512KX1, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8 | |
SST25VF512A-33-4I-QA | SILICON |
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EEPROM, 512KX1, Serial, CMOS, 5 X 6 MM, WSON-8 | |
SST25VF512A-33-4I-QAE | MICROCHIP |
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512K X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 | |
SST25VF512A-33-4I-QAE | SST |
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512 Kbit SPI Serial Flash | |
SST25VF512A-33-4I-QAE-T | MICROCHIP |
获取价格 |
SST25VF512A-33-4I-QAE-T | |
SST25VF512A-33-4I-SA | SILICON |
获取价格 |
EEPROM, 512KX1, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, MS-012AA, SOIC-8 | |
SST25VF512A-33-4I-SAE | SST |
获取价格 |
512 Kbit SPI Serial Flash | |
SST25VF512A-33-4I-SAE-T | MICROCHIP |
获取价格 |
SST25VF512A-33-4I-SAE-T | |
SST25WF010 | SST |
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash |