是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HVSON, SOLCC8,.25 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 1.4 |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
长度: | 6 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HVSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | TS 16949 |
座面最大高度: | 0.8 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 5 mm | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SST25VF016B-50-4I-QAF | MICROCHIP |
完全替代 |
16M X 1 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST25VF016B-50-4I-S2AE | MICROCHIP |
获取价格 |
FLASH 2.7V PROM | |
SST25VF016B-50-4I-S2AE-T | MICROCHIP |
获取价格 |
暂无描述 | |
SST25VF016B-50-4I-S2AF | MICROCHIP |
获取价格 |
16 Mbit SPI Serial Flash | |
SST25VF016B-50-4I-S2AF | SST |
获取价格 |
16 Mbit SPI Serial Flash | |
SST25VF016B-50-4I-S2AF-T | MICROCHIP |
获取价格 |
16 Mbit SPI Serial Flash | |
SST25VF016B-75-4I-QAF | SST |
获取价格 |
16 Mbit SPI Serial Flash | |
SST25VF016B-75-4I-QAF | MICROCHIP |
获取价格 |
16M X 1 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 | |
SST25VF016B-75-4I-QAF-T | MICROCHIP |
获取价格 |
IC,SERIAL EEPROM,NOR FLASH,2MX8,CMOS,LLCC,8PIN,PLASTIC | |
SST25VF016B-75-4I-S2AF | SST |
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16 Mbit SPI Serial Flash | |
SST25VF016B-75-4I-S2AF-T | MICROCHIP |
获取价格 |
16M X 1 4-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.20 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |