5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | LOW INSERTION LOSS |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 30 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST111-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SST111-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SST111T-1T2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| SST111T2 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| SST111-T2 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SST111-T2-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SST111T-2T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| SST111T-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
|
| SST111TT1 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
|
| SST111TT2 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
