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SSR24C30CTJ

更新时间： 2024-10-03 08:31:23

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网高压光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,

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SSR24C30CTJ 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.34	其他特性：	PD-CASE
应用：	HIGH VOLTAGE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.75 V
JEDEC-95代码：	TO-257	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	250 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	12 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大功率耗散：	120 W	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向电流：	200 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SSR24C30CTJ 数据手册

SSR24C60CTJ &

SSR24C60CAJ Series

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

24 Amp

Schottky Silicon Carbide

Centertap Rectifier

600 Volts

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SSR24C __ CT J __

│ │ │ └ Screening^2/

__ = Not Screened

│ │ │

TV = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

 World's Smallest Hermetic SiC Centertap Rectifier

 High Voltage, 600V

│ │ └Package J = TO-257

│ │

 Very High Operating Temperature, 250°C

 No Recovery Time (tfr or trr)

 High Current Operation, 24A

│ └ Configuration CT = Common Cathode

CA = Common Anode

│

 Hermetically Sealed, Isolated Packaging



TX, TXV, and S Level screening available

└ Voltage 30 = 300 V 40 = 400 V

50 = 500 V 60 = 600 V

Maximum Ratings^3/

Symbol

Value

Units

Volts

Amps

SSR24C30

SSR24C40

SSR24C50

SSR24C60

300

400

500

600

Peak Repetitive and Peak Surge Reverse

Voltage

V_RRM

V_RSM

Per Leg

Total

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave)

I_O

Non Repetitive Peak Surge Current

I_FSM

P_D

120

Amps

Watts

°C

(8.3 ms Pulse, Non-repetitive Half Sine Wave, per leg)

Power Dissipation

(T_C= 25°C)

Operating & Storage Temperature ^4/

Top & Tstg

-55 to +250

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

R_θJC

°C/W

NOTES:

TO-257 (J)

1/ For ordering information, price, operating curves, and availability – contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ All Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified.

4/ If high temp operation is desired (>175°C) consult factory for soldering

consideration.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RS0028E

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSR24C30CTJS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,
SSR24C30CTS.5	SSDI	获取价格	24 A, 300 V Schottky Silicon Carbide Centertap Rectifier
SSR24C30CTS.5S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C30CTS.5TX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SSR24C40CAJ	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,
SSR24C40CAJTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,
SSR24C40CTJ	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,
SSR24C40CTJS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,
SSR24C40CTJTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257,
SSR24C50	SSDI	获取价格	24 AMP 600 VOLTS SCHOTTKY SILICON CARBIDE CENTER TAP RECTIFIER

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